USB PD 3.1控制器TPS25730浪涌防护方案
本文主要是针对USB PD 3.1控制器TPS25730的浪涌防护方案,采用湖南静芯研发的TDS浪涌保护器件对芯片进行浪涌防护,保护设备免受电气系统中的浪涌电压或浪涌电流的损害,确保设备的安全性。
一、TPS25730介绍
TPS25730 是一款高度集成的独立式 USB Type-C 和 电力输送 (PD) 控制器,针对支持USB-C PD电源的纯接收应用进行了优化。TPS25730 集成了完全管理的电源路径与强大的保护功能,可提供完整的USB-C PD解决方案。TPS25730 还可通过使用内部栅极驱动器来 控制外部电源路径。TPS25730 非常适合之前由桶形插孔供电的纯接收应用。使用电阻器引脚strap配置,用户可在其平台上使用 TPS25730 实现功能齐全的USB Type-C PD端口,无需外部 EEPROM、外部微控制器或任何类型的固件开发。
二、USB-PD介绍
USB-PD 是一种基于 USB Type-C 标准构建的先进快速充电技术,它基于充电规范运行,以最大限度地提高传输到连接设备的功率。USB-PD 规范定义了设备如何利用 USB Type-C 连接器供电,以及如何在供电过程中识别和管理这些设备。USB-PD 的一个关键特性是,它可以使设备能够在精确传输或接收电源之前通过 USB Type-C 连接器上的专用通信通道进行通信。这可以让设备仅获得所需的功率,防止过度充电或充电不足的问题。
由USB实施者论坛(USB-IF)设计的USB供电(USB-PD)规范已经发展了四个版本,逐步增强了供电能力和灵活性。最初的USB-PD 1.0仅提供固定功率配置:10W(5V,2A)、18W(12V,1.5A)、36W(12V,3A)、60W(20V,3A)和100W(20V,5A)。USB-PD 2.0为标准功率范围(SPR)引入了四个固定电压电平(5V、9V、15V、20V),具有3A或5A的灵活电流选项。这种组合实现了更多通用的充电选项,功率范围从0.5W到100W不等。USB-PD 3.0进一步扩展了USB-PD 2.0的功能,提供额外的设备信息,如电源状态、电池电量和系统通知。
三、TDS器件介绍
TDS(平缓钳位浪涌抑制器)具有精准且恒定的触发电压、优异的钳位性能及稳定的温度特性,可为系统提供更全面保护。当 EOS 事件来临时,瞬态电压攀升至超过集成精密触发器所设定的击穿电压(VBR)阈值,触发电路精确的开启内置泄流场效应晶体管,有效的将瞬态高压与大电流安全释放到地。由于TDS的内置泄流场效应晶体管具有极低的导通电阻,其钳位电压在额定峰值脉冲电流范围内几乎是恒定的。
在选择浪涌防护器件时,许多工程师会优先选择TVS二极管,实际上大电流TDS芯片在成本和性能、面积上比TVS更具优势。TDS器件的优势如下:
在提供相同保护的情况下,TDS耗散浪涌能量较小,能通过自身特性将过压与过流事件高效泄放到地,从而避免增加自身热损耗。
TDS器件体积小巧,结构紧凑,为硬件工程师设计高度集成型解决方案提供了更优选择。如果应用需要超过单个TDS器件所能提供的特定钳位电压, 可以将多个TDS器件串联,提供了更多的灵活性。
TDS器件的钳位电压通常比传统TVS保护设备的钳位电压低30%,减少了系统的电气应力,可以更好的保护后端IC,也为系统中的其他组件创造了更大的安全余量。
TDS器件在额定峰值脉冲电流范围内拥有几乎恒定的钳位电压。传统TVS二极管的箝位电压随着峰值脉冲电流的增加而增加,而TDS器件的钳位电压在最大峰值脉冲电流之前几乎保持不变。
TDS器件的钳位电压在工作温度范围内保持稳定,而传统TVS二极管的钳位电压随温度变化。TDS器件拥有卓越的耐用性,在工作规格内性能不会下降,仍能保证低漏电和高钳位电压。
四、应用方案

图1 应用方案
上图介绍了使用PD 3.1控制器TPS25730的部分参考设计。USB PD 3.1可以提供高达 100W 的功率,VBUS上的最大电压可以达到20V(20V&5A)。如果总线上的电压增加超过其设计参数,USB PD控制器可能会损坏。因此设计人员经常选择使用具有高于标定峰值脉冲电流(IPP)额定值的TVS二极管器件保护总线,VBUS引脚的安全性就需要使用工作电压高于 20V 的防护器件来保护 VBUS 引脚,以保持钳位电压低于PD控制器损坏阈值。
ESTVS2200DRVR是湖南静芯开发的平缓浪涌抑制器(TDS),可用于保护工作电压为 20V、22V、24V 的系统,具有精准且恒定的触发电压、优异的钳位性能及稳定的温度特性,可为系统提供更全面保护。ESTVS2200DRVR 器件为 DFN 2mm x 2mm x 0.68mm 6引脚封装,工作电压最大可达 24V,可在 ESD 和浪涌事件发生时保护 USB-PD 控制器。器件的触发电压典型值为25.6V,额定瞬态峰值脉冲电流可达70A(tp=8/20μs),钳位电压VC为30V以内,且符合IEC 61000-4-2 (ESD) 规范,在 ±30kV(空气)和 ±30kV(接触)下提供瞬变保护。
五、器件电气特性表
At TA = 25℃ unless otherwise noted

表1 ESTVS2200DRVR电气特性表
六、总结与结论
TPS25730作为常用的PD控制芯片,浪涌防护十分关键。TDS芯片的钳位性能优异、温度特性稳定,在汽车和工业控制领域将会有极大的应用前景和市场。湖南静芯同时推出5V、14V、18V、22V、27V、33V等各种电压等级的TDS平缓浪涌抑制器,可为系统提供更全面保护。
审核编辑 黄宇
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