存储芯片（焕发生机）

01 产业链全景图

02 存储芯片定义

存储芯片也叫半导体存储器，是电子设备里负责存数据、读数据的关键零件。半导体产品主要有四大类：分立器件、光电器件、传感器、集成电路。像存储芯片、逻辑芯片、微处理芯片这些，都属于集成电路里的核心成员。

要是按 “断电后数据能不能留在器件里” 来分，存储芯片能分成易失性和非易失性两种。易失性存储芯片就像电脑的内存（像 SRAM、DRAM 这类），一断电，里面的数据直接没了；非易失性的，比如 PROM、Flash 存储器、EPROM/EEPROM 这些，就跟 U 盘、硬盘一个道理，哪怕断电，数据也能好好存着。现在市场上主流的是 Flash 和 DRAM 这两种存储器，它们俩加起来能占差不多 99% 的市场份额。

03 涨价重燃

进入11月，全球存储芯片市场再度进入剧烈波动期。继年中多家厂商上调报价后，日本秋叶原率先出现内存、SSD、HDD全面限购的罕见现象，DDR5内存价格更是在短短几周内翻倍上涨。与此同时，从深圳到硅谷，从闪迪到三星，全球供应链的涨价信号正此起彼伏，一场由AI与算力需求共同驱动的“存储芯片超级周期”，正在快速成形。

一、秋叶原“断货+限购”：DDR5价格暴涨100%

本月初，日本秋叶原的电脑配件市场出现异动——多家商店开始对内存、SSD、机械硬盘实行限购措施。

部分商家规定：每位消费者最多只能购买两块SSD/HDD与四条内存条。

这一举措背后，是存储器供应紧张与价格暴涨的直接反映。据当地经销商透露，尤其是DDR5高频内存，在过去数周内出现超过100%的价格飙升，部分热门型号更是一货难求。

业内人士分析，这不仅是日本本地库存不足的结果，更反映出全球DRAM供应链从去年低谷后迅速反弹，供需关系正被彻底改写。

二、闪迪带头“第三次提价”，全球NAND价格掀浪

11月初，闪存巨头闪迪(SanDisk)宣布NAND合约价格上调50%，这一消息犹如重磅炸弹。

要知道，今年以来闪迪已多次调价：

4月：全系列涨价10%。

9月：再次普涨10%。

11月：单次涨幅高达50%，远超市场预期。

根据TrendForce数据，市场原本预期NAND第四季度涨幅为5%-10%，但闪迪此举直接将涨幅推向极端。

受此带动，深圳、香港及东南亚渠道的模组厂、代理商纷纷开始“满仓囤货”，部分模组厂的毛利甚至在短时间内翻倍增长。

随着NAND涨价逐步传导至终端设备，业内预计智能手机、平板电脑、SSD笔记本等消费类电子产品将在2025年初迎来一轮成本上升潮。

三、A股“芯”躁动：德明利两月暴涨184%，高盛抢筹入局

资本市场的反应同样迅速。A股存储芯片概念股近期表现抢眼，其中德明利股价在两个月内暴涨184%，市值突破560亿元。

公开资料显示，高盛在三季度增持德明利数亿元人民币，跻身公司第四大股东。

分析认为，这反映出机构资金已对存储周期反转形成一致预期，尤其在HBM、DDR5、LPDDR等高性能存储需求拉动下，行业利润有望持续修复。

四、DRAM暴涨172%，AI与HBM引爆“供给极限”

根据最新现货行情，DDR5内存单日上涨5.55%，突破34美元，创历史新高，年内累计涨幅高达172%。

与此同时，HBM(高带宽存储)进入全面放量阶段：

SK海力士完成HBM4质检准备，量产在即；

三星突破12层HBM3E良率瓶颈，缩小与竞争对手差距；

台积电计划在台湾新增12座先进制程与封装厂，以缓解AI芯片产能紧张。

AI芯片的封装环节(CoWoS)出现明显缺口，美国AI厂商已开始转向日月光等封测巨头寻求产能。供应链的全面紧绷，也推动整个半导体产业迈入新一轮上行周期。

五、竞争格局演变：市场集中度提升与区域化趋势

5.1 国际巨头的战略调整与产能布局

三星：全面领先战略。三星在DRAM和NAND两个领域都保持领先地位，通过技术创新和产能优势巩固市场地位。在DRAM领域，三星计划2025年下半年量产HBM4，采用4nm逻辑工艺与10nm DRAM制程，目标良率突破80%。在NAND领域，三星V10 NAND将实现420-430层堆叠，并计划到2030年实现1000层NAND。

SK海力士：聚焦高端产品。SK海力士将战略重点放在HBM和高端DRAM产品上，2025年全年HBM产能较2024年翻倍。公司正在推进第5代1b DRAM的产能提升，计划将月产能从年初的1万片提升至年底的9万片，2026年上半年进一步提升至14-15万片。在NAND领域，SK海力士计划将部分产能转用于生产HBM，321层QLC量产领先其他家，体现了向高价值产品倾斜的战略。

美光：技术创新与产能扩张并重。美光在技术创新方面投入巨大，2025年资本支出占营收30%，主要用于DRAM/HBM产能扩张。公司计划2027年在新加坡和美国新博伊西建设Fab，同时在纽约州雪城附近的Mega工厂规划未来20年的HBM产线。

铠侠/西部数据：整合寻求突破。铠侠与西部数据的合并谈判仍在进行中，这一整合将创造一个在NAND和HDD领域都具有强大竞争力的存储巨头。合并后的公司将在技术研发、产能规划、市场拓展等方面实现协同效应，有望挑战三星的市场地位。

5.2 中国厂商的崛起路径与技术突破

YM：快速追赶的NAND新星。YM通过技术创新和产能扩张，正在快速改变全球NAND市场格局。公司自主研发的Xtacking架构实现了技术突破，位密度达到15.03 Gb/mm²，超越国际巨头。产能方面，YM计划2026年底达到30万片/月的总产能，目标占据全球15%的市场份额。

CX：DRAM领域的中国力量。CX是国内唯一能批量生产DDR4、DDR5内存的企业，直接填补了国产DRAM的市场空白。公司DDR5市场份额预计从2025年初的1%提升至年底的7%，2026年有望达到15%。通过高端产品量产和技术迭代，CX正在提升国际竞争力。

技术自主化取得重大进展。YM的设备国产化率已达45%，首条全国产化产线将于2025年下半年导入试产,2026年全面量产。

六、未来1-2年走势预测

6.1 DRAM市场未来走势判断

基于对供需结构、技术发展和竞争格局的综合分析，我们对DRAM市场未来1-2年的走势做出如下判断：

价格将持续上涨，涨幅逐步收窄。2025年第四季度DRAM价格预计季增13%-18%，2026年上半年仍将保持上涨态势，但涨幅可能收窄至5%-10%。主要原因是：供给端产能扩张有限，2026年整体bit供给增速难以超过20%；需求端AI应用持续爆发，2026年DRAM需求增长预计19.1%；DDR4产能退出带来结构性短缺，DDR4价格可能继续大幅上涨。

供需缺口将长期存在。预计2026年DRAM供需缺口为3%左右，2027年随着新产能逐步释放，缺口可能缩小至1%-2%。但HBM等高端产品的供需紧张将持续至2027年，甚至更长时间。

技术升级推动产品结构优化。DDR5将在2026年成为市场主流，DDR4逐步退出历史舞台。HBM4将在2026年大规模量产，成为AI服务器的标配。预计到2027年，HBM将占据DRAM市场15%-20%的份额。

市场集中度进一步提升。三星、SK海力士、美光三强的市场份额可能从目前的70%提升至75%以上。中国厂商虽然快速增长，但在高端产品领域仍面临技术差距。

6.2 NAND Flash市场未来走势判断

价格温和上涨，结构性机会突出。NAND Flash价格将保持温和上涨态势，2025年第四季度预计上涨5%-10%。但结构性机会更加突出，大容量QLC SSD、汽车级NAND、企业级eSSD等产品价格涨幅可能超过20%。

供需基本平衡，区域差异明显。2026年NAND供需基本平衡，但不同应用领域和不同地区存在明显差异。数据中心和AI相关应用需求旺盛，可能出现短缺；消费级市场相对平衡；中国市场由于本土产能快速增长，供需状况好于全球平均水平。

技术演进加速，成本持续下降。3D NAND堆叠层数将从目前的200-300层向400层以上快速演进，2026年主流产品将达到300-400层。QLC技术快速普及，预计2027年占比将达到30%-40%，推动NAND平均价格下降。

竞争格局重塑，中国力量崛起。YM有望在2026年底实现15%的全球市场份额目标，进入全球前三。中国NAND自给率将从目前的不足10%提升至20%以上，对全球供应链格局产生重大影响。

6.3 产业链各环节的应对策略

芯片设计公司：加大研发投入，特别是在HBM、先进制程DRAM、高堆叠3D NAND等高端产品领域。同时，加强与客户的战略合作，锁定长期订单。

晶圆制造厂商：优化产能配置，优先生产高价值产品。加快先进制程开发，提升技术竞争力。加强与设备、材料供应商的合作，确保供应链安全。

封装测试企业：投资先进封装技术，特别是3D堆叠、扇出型封装等。加强与芯片设计公司的协同，提供一站式解决方案。

设备材料供应商：加大研发投入，实现关键设备和材料的国产化。加强与本土存储芯片企业的合作，共同成长。

终端应用厂商：提前布局，通过长期合约锁定存储芯片供应。优化产品设计，提高存储效率。积极评估新型存储技术的应用前景。

结语：把握AI时代存储产业的历史性机遇

存储芯片产业正站在一个历史性的转折点上。AI技术的爆发式增长不仅带来了前所未有的需求机遇，也推动着技术架构、产业格局和竞争模式的深刻变革。

从市场走势看，DRAM和NAND Flash都将在未来1-2年保持强劲的增长态势，但增长动力和表现形式有所不同。DRAM市场将由AI服务器和HBM需求主导，价格持续上涨，供需缺口长期存在；NAND Flash市场则呈现结构性增长特征，数据中心和汽车电子成为主要驱动力，整体供需基本平衡但存在区域和产品差异。

从技术发展看，存储架构正在经历根本性变革。HBM、CXL互连、存储级内存等新技术的出现，将彻底改变传统的"存储-计算"分离模式。3D NAND堆叠层数向400层、500层甚至1000层突破，QLC/PLC技术快速普及，将推动存储密度和性能的持续提升。

从竞争格局看，全球存储产业正呈现"强者恒强、新秀崛起"的态势。三星、SK海力士、美光等国际巨头通过技术创新和产能优势巩固领先地位；YM、CX等中国厂商通过自主创新和政策支持快速追赶，正在重塑全球竞争格局。地缘政治因素加剧了产业的区域化趋势，推动各国加快构建自主可控的存储产业链。

存储芯片作为数字经济的基础设施，其重要性将随着AI时代的到来而进一步凸显。只有准确把握产业趋势，积极应对挑战，才能在这场历史性变革中占据有利位置，实现可持续发展。

来源：网络